Код товара: OT-INM33
Вы можете оплатить товар наличными или банковской картой непосредственно в нашем магазине.
Для юридических лиц и ИП
- Стоимость: при оплате по счёту к цене на сайте добавляется +8%.
- НДС: работаем без НДС.
- Банковские реквизиты: счёт открыт в ПАО «СберБанк», все реквизиты будут указаны в счёте.
Вы оплачиваете заказ с помощью QR-кода, который мы отправим после оформления. После оплаты вы сами заказываете курьера, который заберёт товар в нашем магазине и доставит вам.
Миниатюрный мультиметр MD 182 предназначен для измерения сопротивления, постоянного и переменного напряжения, постоянного тока, тестирования батарей, диодов, транзисторов.
Работает от одной батарейки 23А.
Функция звуковой прозвонки обеспечивает более комфортную работу.
Габариты: 100мм х 50мм х 20мм
Вес: 60г
Комплектация:
- мультиметр;
- измерительные щупы;
- батарейка 12В (тип 23А);
- инструкция.
* Переменное напряжение:
Диапазон | Разрешающая способность | Точность |
200 V | 0.1 V | ±1.5%±10D |
500 V | 1 V | ±1.5%±10D |
Измерение: измерение среднеквадратичного значения переменного напряжения синусоидальной формы. Диапазон рабочих частот: 50 - 200 КГц. Входное сопротивление 450Ком для переменного напряжения.
* Постоянное напряжение:
Диапазон | Разрешающая способность | Точность |
200 mV | 100 mkV | ±0,8%±1D |
2000 mV | 1 mkV | ±0,8%±1D |
20 V | 10 mV | ±0,8%±1D |
200 V | 0.1 V | ±0,8%±1D |
500 V | 1 V | ±1%±1D |
Входное сопротивление 1Мом .
* Сопротивление:
Диапазон | Разрешающая способность | Точность |
200 ом | 0,1 ом | ±1%±3D |
2000 ом | 1ом | ±1%±3D |
20 Ком | 10 ом | ±1%±3D |
200 Ком | 100 ом | ±1%±3D |
2000 Ком | 1 Ком | ±1%±3D |
Напряжение холостого хода приблизительно 2,8 В.
* Постоянный ток:
Диапазон | Разрешающая способность | Точность |
2000 мкА | 1 мкА | ±1%±2D |
20 мА | 10 мкА | ±1%±2D |
200 мА | 100 мкА | ±1.2%±2D |
Защита от перегрузки: предохранитель 200мА/250В.
Падение напряжения при измерении : 200мВ.
* Диодный тест.
* Звуковая прозвонка соединений.
* Тестирование 1,5V и 9V батарей.
* Измерение коэффициента усиления транзистора.

